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一家德国破产企业，如何托起长鑫科技的逆袭之路


星火Ember
2026-07-27 12:25·北京

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作者｜梁耀丹

主编｜赵妍

来源｜星火Ember

7月27日，长鑫科技（688825.SH）登陆A股市场，开盘报49.5元/股，总市值超3.3万亿元，成为A股市值最高公司。

回顾长鑫科技的发展历程，这家改写全球DRAM行业格局的中国企业，技术创新的逆袭起点来自一家倒闭约十七年的德国半导体巨头——奇梦达（Qimonda ）。

2019年，长鑫科技通过专利授权，获取了奇梦达总计2.8TB的全套DRAM技术文档。

曾经的奇梦达，是全球第二大DRAM供应商、欧洲存储芯片产业的巅峰代表，手握海量的DRAM核心专利，却在2009年轰然破产。

一家落幕的德国企业，何以在十余年后，托举长鑫站在其产业废墟之上，成长为打破全球存储垄断的关键力量？

欧洲存储巨头的陨落

故事要从奇梦达——欧洲昔日最强内存巨头的陨落说起。

2006年，奇梦达从英飞凌（Infineon Technologies）分拆独立，而英飞凌的前身，正是德国工业巨擘西门子（Siemens）的半导体部门。数次股权与品牌更迭之下，一脉相承的，是一套区别于美、韩竞争对手的DRAM自研路线。

当年全球DRAM技术架构分为两大阵营，一种是堆叠式技术（Stacking），以三星、SK 海力士、美光等存储巨头为代表；另一种是沟槽式技术（Trench），以奇梦达为代表。所谓堆叠式，顾名思义是“往上堆叠”，而“沟槽式”则是“往下挖”。

但沟槽路线很快触及物理瓶颈。奇梦达的的研发团队做出了一个在当时看来前途未卜、如今被全行业验证极具前瞻性的决定：转向埋入式字线（Buried Wordline, BWL）加堆叠电容的混合架构。

时至今日，BWL加堆叠电容架构已是全球主流DRAM厂商的核心技术路线。可2008年奇梦达率先推进该技术试产时，三星、SK海力士、美光仍固守原有路线。

奇梦达精准押中行业技术未来，公司却没能撑到那一天。

2008年，全球金融海啸猛烈来袭，DRAM现货价格暴跌。奇梦达当年上半年净亏损高达10.58亿欧元。到2008年底，公司现金流枯竭，向母公司英飞凌和德国萨克森州政府发出紧急求援。

2009年1月23日，在所有注资请求遭到拒绝后，奇梦达宣布进入破产保护程序。

至此，欧洲最后一家存储大厂也走向了落幕。

奇梦达遗留下来的数以千计的DRAM专利，则开启了漫长的流转。

2014年，英飞凌从破产管理人手中回购了奇梦达的所有专利。随后的2015年6月，英飞凌将超过7000项专利转售给了加拿大专利运营公司WiLAN的子公司Polaris Innovations，交易价格约为3000万欧元。

Polaris的商业模式很简单，向仍在使用这些专利所涵盖技术的公司收取许可费。随后，Polaris陆续向多家DRAM厂商发起了许可谈判。

2019年，一个意料之外的买家敲响了Polaris的大门。

来者正是长鑫科技。

长鑫科技的“敲门”

长鑫科技成立于2016年。

彼时，全球DRAM市场九成以上的份额被三星、SK海力士、美光三家寡头瓜分。中国大陆本土量产能力几乎为零，存储芯片长期受制于人，成为半导体产业链关键 “卡脖子” 环节。

在这个背景下，同年，长鑫存储、长江存储、福建晋华同步落地，分别攻坚DRAM、NAND Flash 两大存储赛道，补齐国内存储产业短板，2016年也因此被视作中国大陆存储器产业元年。

长鑫科技创始人朱一明出身清华物理系，持有纽约州立大学硕士学位，硅谷从业多年后归国，2005 年创立NOR Flash龙头兆易创新（603986.SZ），并推动企业2016年登陆A股。

2016年，朱一明做出了一个比创办兆易创新冒险得多的决定：联合合肥，落地代号为“506工程”的DRAM制造项目——也就是长鑫科技的前身。

DRAM制造是半导体行业中资本投入最高、技术壁垒最深、行业周期性波动最剧烈的赛道。全球只有三家公司——三星、SK海力士、美光能够长期稳定盈利，曾经的玩家要么破产、要么退出、要么沦为代工。中国此前在DRAM领域的所有尝试，均未能取得实质性突破。

长鑫科技，誓要打破这一僵局。

2018 年，朱一明卸下兆易创新总经理重担，全力掌舵长鑫存储，并承诺“项目盈利前不领薪”。

对于白手起家的国产存储新势力而言，破产巨头奇梦达留存的技术遗产，无疑是雪中送炭的关键跳板。

2019年，长鑫科技与Polaris Innovations签署协议，获得奇梦达DRAM专利许可，将一千多万份、约2.8TB的DRAM的技术文件收归囊中。

除了技术文档，长鑫科技还同步吸纳了奇梦达昔日的技术人才——其中就包括曾在西门子、英飞凌和奇梦达担任技术与前期开发副总裁24年的Karl-Heinz Kuesters。

有了技术蓝图和人才，资金同样不可或缺。在长鑫科技发展历程中，合肥国资在资金环节扮演了重要的角色。

2016年，项目启动时，合肥计划总投资1500亿元。第一期180亿元投资中，合肥国资出资144亿元，占比80%。

此后近十年，长鑫累计亏损约366.5亿元。但依托合肥国资持续的资本加持，长鑫科技陆续建成12英寸晶圆存储器等多条生产线，实现国内DRAM企业“从0到1”的突破。

迎来历史性逆袭

长鑫的发展并非一帆风顺。

2022年底至2023年，全球DRAM行业坠入深度下行周期，市场供给过剩叠加终端需求疲软，现货价格持续暴跌。

对于三星、海力士这样有数百亿美元营收规模的老牌巨头，周期下行意味着利润缩水但仍能维持运转。但对于刚刚开始放量出货、还远未收回投资的长鑫来说，这是一场生存危机。

2023年，长鑫科技的财务数据尤其触目惊心。全年营收仅91亿元人民币，而计提的存货跌价损失高达115亿元，归母净利润亏损168亿元。

然而，在三巨头纷纷减产自保的时候，长鑫科技却选择逆势扩产，降价促销。

这也为长鑫科技之后抢占市场份额埋下了伏笔。

2024年，AI大模型的爆发式增长创造了对高带宽内存（HBM）的天量需求。三星、SK海力士、美光的高端产能被英伟达、AMD的HBM订单疯狂抢占，三大巨头纷纷将最先进的制程和最优质的产能向HBM倾斜。 三巨头转向HBM后，传统大宗DRAM的供给出现了前所未有的结构性紧缺。

这就是长鑫科技等待已久的发展窗口。

财务数据最能直观印证这场逆袭。

2024年，公司营业收入高达242亿元，营收开始回暖，归母净利润亏损大幅收窄至71亿元。

2025年，公司营收飙升至约618亿元，归母净利润19亿元，成立以来首次全年盈利。

2026年第一季度，公司业绩呈现爆发式增长，营业收入达到508 亿元，同比增长719%；归母净利润为248亿元，同比增长1688%。

更令人瞠目的是利润率数据。2026年第一季度，长鑫科技的营业利润率达到70%，同期SK海力士为73%，三星为81%，美光为84%。这意味着，长鑫科技的盈利能力已跻身全球DRAM头部阵营。

据Omdia统计，按2025年第四季度销售额计算，长鑫科技的全球DRAM市场份额已增至7.67%，成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

十年间，长鑫科技以德国奇梦达破产遗留的技术根基为起点，扛过2023年行业深度寒冬逆势布局，乘着AI产业浪潮完成业绩跨越式增长，成为搅动全球存储芯片格局的核心破局者。

长鑫科技的故事，既是一家企业从零到一的突围史诗，是一座城市押注硬科技未来的豪赌史，更是中国攻坚半导体核心产业链的时代缩影。

未来，无论资本市场股价如何震荡起伏，长鑫科技都注定在中国半导体史册中留下浓墨重彩的一笔。








责任编辑：钟齐鸣_NF5619

长鑫科技如何借助德国破产企业逆袭






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